10n60 9.5A/600V场效应管参数PDF中文材料-半导体原厂-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-10-11
可易亚设想了KIA10N60H N沟道加强型硅栅功率MOSFET合用于高电压、高速率的功率开关利用，如高效力的开关电源。电源，有源功率因数校订，电子镇流器基于半桥式，以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低门电荷（典范的44nC）
3、疾速互换才能
4、雪崩能量指定值
5、改良的dv/dt才能
产物型号：KIA10N60H
任务体例：9.5A/600V
漏源极电压：600V
栅源电压：±30V
泄电流脉冲：38.0*A
结温：+150℃
储存温度：-55℃至150℃
以下为KIA10N60H产物PDF格局的产物具体材料，检查概况请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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