场效应管短路视频- MOS管数控机带负载测试和短路掩护测试-KIA MOS管

信息来历：本站　日期：2018-10-02　

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场效应管短路掩护视频

功率MOSFET掩护电路设想

以下有场效应管短路掩护视频。功率场效应管本身具备浩繁长处，可是MOSFET管具备较懦弱的蒙受短时过载才能，出格是在高频的利用场所，以是在利用功率MOSFET对必须为其设想公道的掩护电路来进步器件的靠得住性。功率MOSFET掩护电路首要有以下几个方面：

1)避免栅极 di／dt太高：由于接纳驱动芯片，其输入阻抗较低，间接驱动功率管会引发驱动的功率管疾速的守旧和关断，有能够造胜利率管漏源极间的电压震动，或有能够造胜利率管蒙受太高的di／dt而引发误导通。为避免上述景象的产生，凡是在MOS驱动器的输入与MOS管的栅极之间串连一个电阻，电阻的巨细普通拔取几十欧姆。

2)避免栅源极间过电压，由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压渐变会经由过程极间电容耦合到栅极而产生相称高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很轻易堆集电荷也会使栅源氧化层击穿，以是要在MOS管栅极并联稳压管以限定栅极电压在稳压管稳压值以下，掩护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻是为了开释栅极电荷，不让电荷堆集。

3)防护漏源极之间过电压，固然漏源击穿电压VDS普通都很大，但若是漏源极不加掩护电路，一样有能够由于器件开关刹时电流的渐变而产生漏极尖峰电压，进而破坏MOS管，功率管开关速率越快，产生的过电压也就越高。为了避免器件破坏，凡是接纳齐纳二极管钳位和RC缓冲电路等掩护办法。

当电流过大或产生短路时，功率MOSFET漏极与源极之间的电流会敏捷增添并跨越额外值，必须在过流极限值所划定的时候内关断功率MOSFET，不然器件将被烧坏，是以在主回路增添电流采样掩护电路，当电流达到必然值，经由过程掩护电路封闭驱动电路来掩护MOSFET管。图1是MOSFET管的掩护电路，由此能够清晰的看出掩护电路的功效。