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MOS管7n65 7A/650V原厂供货及PDF产物具体材料-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2018-09-21 

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MOS管7N65产物特点-KIA7N65H

1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V

2、低栅电荷(典范的29nC)

3、高强度

4、疾速切换

5、100%雪崩实验

6、加强的dv/dt才能

MOS管7N65产物首要参数-KIA7N65H

产物型号:KIA7N65H

任务体例:7A/650V

漏至源电压:650V

门到源电压:±30V

雪崩动力:14.7/230MJ

操纵和贮存温度规模:-55至150℃

MOS管7N65规范封装-KIA7N65H

MOS管7N65电路图-KIA7N65H

MOS管7N65 7A/650V

MOS管7N65 7A/650V

MOS管7N65 7A/650V

MOS管7N65产物附件-KIA7N65H

以下为KIA7N65H产物PDF格局的产物具体材料,检查概况请点击下图。


MOS管7N65 7A/650V



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