mos管4n65 4.0A/650V原厂供货及PDF产物具体材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-09-12
1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V
2、低门电荷（典范的16nC）
3、高韧性
4、疾速切换
5、N100%雪崩实验
6、改良的dv/dt才能
产物型号：KIA4N65H
任务体例：4.0A/650V
漏源极电压:650V
栅源电压:±30V
操纵和存储温度规模：-55至+150℃
以下为KIA4N65H产物PDF格局的产物具体材料，检查概况请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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